FDH45N50F - описание и поиск аналогов

 

FDH45N50F - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDH45N50F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для FDH45N50F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDH45N50F технические параметры

 ..1. Size:513K  fairchild semi
 fdh45n50f.pdf pdf_icon

FDH45N50F

November 2013 FDH45N50F N-Channel UniFETTM FRFET MOSFET 500 V, 45 A, 120 m Features Description UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor s high voltage RDS(on) = 105 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 22.5 A MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 105 nC) This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better swi

 ..2. Size:211K  inchange semiconductor
 fdh45n50f.pdf pdf_icon

FDH45N50F

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor FDH45N50F FEATURES With TO-247 package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

Другие MOSFET... FDMC8296 , FQPF65N06 , FQPF6N80C , FDMS8880 , FQPF6N80T , FDH50N50 , FQPF6N90C , FQPF70N10 , RFP50N06 , FQPF7N60 , FDN5632NF085 , FQPF7N65C , FQPF7N80C , FDD16AN08F085 , FQPF7P20 , FQPF85N06 , FQPF8N60C .

 

 
Back to Top

 


 
.