FDH45N50F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDH45N50F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FDH45N50F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDH45N50F даташит

 ..1. Size:513K  fairchild semi
 fdh45n50f.pdf pdf_icon

FDH45N50F

November 2013 FDH45N50F N-Channel UniFETTM FRFET MOSFET 500 V, 45 A, 120 m Features Description UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor s high voltage RDS(on) = 105 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 22.5 A MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 105 nC) This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better swi

 ..2. Size:211K  inchange semiconductor
 fdh45n50f.pdf pdf_icon

FDH45N50F

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor FDH45N50F FEATURES With TO-247 package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

Другие IGBT... FDMC8296, FQPF65N06, FQPF6N80C, FDMS8880, FQPF6N80T, FDH50N50, FQPF6N90C, FQPF70N10, RFP50N06, FQPF7N60, FDN5632NF085, FQPF7N65C, FQPF7N80C, FDD16AN08F085, FQPF7P20, FQPF85N06, FQPF8N60C