Справочник MOSFET. FDH45N50F

 

FDH45N50F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDH45N50F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 105 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDH45N50F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:513K  fairchild semi
 fdh45n50f.pdf pdf_icon

FDH45N50F

November 2013FDH45N50FN-Channel UniFETTM FRFET MOSFET500 V, 45 A, 120 mFeatures DescriptionUniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductors high voltage RDS(on) = 105 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 22.5 AMOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 105 nC)This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and toprovide better swi

 ..2. Size:211K  inchange semiconductor
 fdh45n50f.pdf pdf_icon

FDH45N50F

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor FDH45N50FFEATURESWith TO-247 packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

Другие MOSFET... FDMC8296 , FQPF65N06 , FQPF6N80C , FDMS8880 , FQPF6N80T , FDH50N50 , FQPF6N90C , FQPF70N10 , 7N60 , FQPF7N60 , FDN5632NF085 , FQPF7N65C , FQPF7N80C , FDD16AN08F085 , FQPF7P20 , FQPF85N06 , FQPF8N60C .

History: WMM38N60C2 | BUK426-1000B | FQPF3N80 | AFN6530S | IRLMS1902 | FQPF3N80CYDTU

 

 
Back to Top

 


 
.