DH019N04E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH019N04E  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 255 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 250 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 784 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: TO263

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DH019N04E datasheet

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DH019N04E

DH019N04/DH019N04F/DH019N04I DH019N04E/DH019N04B/DH019N04D 250A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 40V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 2m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 250A D 2 Features Fast switchin

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