DH019N04E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DH019N04E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 255 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 784 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DH019N04E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH019N04E даташит

 ..1. Size:1223K  cn wxdh
 dh019n04 dh019n04f dh019n04i dh019n04e dh019n04b dh019n04d.pdf pdf_icon

DH019N04E

DH019N04/DH019N04F/DH019N04I DH019N04E/DH019N04B/DH019N04D 250A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 40V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 2m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 250A D 2 Features Fast switchin

Другие IGBT... DH0159B, DH0159D, DH0159E, DH0159F, DH0159I, DH019N04, DH019N04B, DH019N04D, STP65NF06, 20N65D, 23N50D, 5N65C, 60N10B, 60N10D, 60N10E, 60N10F, 60N10I