Справочник MOSFET. DH019N04E

 

DH019N04E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH019N04E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 255 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 784 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DH019N04E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH019N04E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1223K  cn wxdh
 dh019n04 dh019n04f dh019n04i dh019n04e dh019n04b dh019n04d.pdf pdf_icon

DH019N04E

DH019N04/DH019N04F/DH019N04IDH019N04E/DH019N04B/DH019N04D250A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 2mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 250AD2 Features Fast switchin

Другие MOSFET... DH0159B , DH0159D , DH0159E , DH0159F , DH0159I , DH019N04 , DH019N04B , DH019N04D , 75N75 , 20N65D , 23N50D , 5N65C , 60N10B , 60N10D , 60N10E , 60N10F , 60N10I .

 

 
Back to Top

 


 
.