HYG035N10NS2B Todos los transistores

 

HYG035N10NS2B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HYG035N10NS2B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 99 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TO263

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HYG035N10NS2B datasheet

 ..1. Size:716K  hymexa
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HYG035N10NS2B

HYG035N10NS2P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/180A RDS(ON)=3.2m (typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Power Switching application DC-DC Converters Motor control N-Channel MOSFET Ordering and

 7.1. Size:1055K  1
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HYG035N10NS2B

HYG035N02KA1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 20V/95A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.6 m (typ.) @VGS = 4.5V RDS(ON)= 3.1 m (typ.) @VGS = 2.5V RDS(ON)= 4.4 m (typ.) @VGS = 1.8V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged G S S S S S S G Halogen- Free Devices Available Pin1 PDFN8L(5x6) Applications S

 7.2. Size:1335K  1
hyg035n06ls1c2.pdf pdf_icon

HYG035N10NS2B

HYG035N06LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 65V/90A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.9m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 4.7m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G PDFN8L(5x6) Applications Load Switch Lithium battery protect board Motor drive for electric

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HYG035N10NS2B

HYG035N02KA1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 20V/95A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.6 m (typ.) @VGS = 4.5V RDS(ON)= 3.1 m (typ.) @VGS = 2.5V RDS(ON)= 4.4 m (typ.) @VGS = 1.8V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged G S S S S S S G Halogen- Free Devices Available Pin1 PDFN8L(5x6) Applications S

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History: 60N10B | ME2309

 

 

 


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