Справочник MOSFET. HYG035N10NS2B

 

HYG035N10NS2B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HYG035N10NS2B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 99 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HYG035N10NS2B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG035N10NS2B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:716K  hymexa
 hyg035n10ns2p hyg035n10ns2b.pdf pdf_icon

HYG035N10NS2B

HYG035N10NS2P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/180A RDS(ON)=3.2m(typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Power Switching application DC-DC Converters Motor control N-Channel MOSFET Ordering and

 7.1. Size:1055K  1
 hyg035n02ka1c2.pdf pdf_icon

HYG035N10NS2B

HYG035N02KA1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 20V/95A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.6 m (typ.) @VGS = 4.5V RDS(ON)= 3.1 m (typ.) @VGS = 2.5V RDS(ON)= 4.4 m (typ.) @VGS = 1.8V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged G S S S S S S G Halogen- Free Devices Available Pin1 PDFN8L(5x6) Applications S

 7.2. Size:1335K  1
 hyg035n06ls1c2.pdf pdf_icon

HYG035N10NS2B

HYG035N06LS1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 65V/90AD D D DD D D DRDS(ON)= 2.9m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 4.7m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableG S S SS S S GPDFN8L(5x6)Applications Load Switch Lithium battery protect board Motor drive for electric

 7.3. Size:1055K  hymexa
 hyg035n02ka1c2.pdf pdf_icon

HYG035N10NS2B

HYG035N02KA1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 20V/95A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.6 m (typ.) @VGS = 4.5V RDS(ON)= 3.1 m (typ.) @VGS = 2.5V RDS(ON)= 4.4 m (typ.) @VGS = 1.8V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged G S S S S S S G Halogen- Free Devices Available Pin1 PDFN8L(5x6) Applications S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 60N10B , 60N10D , 60N10E , 60N10F , 60N10I , AOB413 , B110N04 , HYG035N10NS2P , IRFZ48N , JMTE070N07A , DH012N03D , DH012N03E , DH012N03F , DH012N03I , DH012N03P , DH012N03U , DH019N04F .

History: SWD065R03VLT | STP130N6F7 | WMM10N105C2 | P120NF10 | HCA65R165 | SRH03P098LD33TR-G | TPC8103

 

 
Back to Top

 


 
.