DH019N04I Todos los transistores

 

DH019N04I MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH019N04I

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 255 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 250 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 784 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: TO262

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DH019N04I datasheet

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 dh019n04 dh019n04f dh019n04i dh019n04e dh019n04b dh019n04d.pdf pdf_icon

DH019N04I

DH019N04/DH019N04F/DH019N04I DH019N04E/DH019N04B/DH019N04D 250A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 40V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 2m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 250A D 2 Features Fast switchin

Otros transistores... JMTE070N07A , DH012N03D , DH012N03E , DH012N03F , DH012N03I , DH012N03P , DH012N03U , DH019N04F , AON7403 , DH020N03 , DH020N03B , DH020N03D , DH020N03E , B25N10 , B2N65 , B4N60 , B4N65 .

History: APQ03SN60AB | AOCA33103E | SLD60R650S2 | 2SK1165 | SLD65R420S2 | OSG55R074HSZF

 

 

 

 

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