DH019N04I - описание и поиск аналогов

 

DH019N04I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DH019N04I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 255 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 784 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для DH019N04I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH019N04I даташит

 ..1. Size:1223K  cn wxdh
 dh019n04 dh019n04f dh019n04i dh019n04e dh019n04b dh019n04d.pdf pdf_icon

DH019N04I

DH019N04/DH019N04F/DH019N04I DH019N04E/DH019N04B/DH019N04D 250A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 40V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 2m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 250A D 2 Features Fast switchin

Другие MOSFET... JMTE070N07A , DH012N03D , DH012N03E , DH012N03F , DH012N03I , DH012N03P , DH012N03U , DH019N04F , AON7403 , DH020N03 , DH020N03B , DH020N03D , DH020N03E , B25N10 , B2N65 , B4N60 , B4N65 .

History: 2SK3575-S | DH020N03B | WMP11N65SR | WML12N105C2 | 2SK1314S | SLD2N65UZ | WML125N12LG2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.