DH020N03E Todos los transistores

 

DH020N03E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH020N03E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 787 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm

Encapsulados: TO263

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DH020N03E datasheet

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DH020N03E

DH020N03/DH020N03F/DH020N03I/ DH020N03E/DH020N03B/DH020N03D 200A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 30V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 2.0m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 200A D 2 Features Low on res

 6.1. Size:704K  cn wxdh
 dh020n03p.pdf pdf_icon

DH020N03E

Otros transistores... DH012N03I , DH012N03P , DH012N03U , DH019N04F , DH019N04I , DH020N03 , DH020N03B , DH020N03D , MMIS60R580P , B25N10 , B2N65 , B4N60 , B4N65 , B4N80 , B50N06 , B5N50 , B5N65 .

History: KHB9D0N90F1

 

 

 

 

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