Справочник MOSFET. DH020N03E

 

DH020N03E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH020N03E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 787 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DH020N03E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH020N03E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1166K  cn wxdh
 dh020n03 dh020n03f dh020n03i dh020n03e dh020n03b dh020n03d.pdf pdf_icon

DH020N03E

DH020N03/DH020N03F/DH020N03I/DH020N03E/DH020N03B/DH020N03D200A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 30VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 2.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 200AD2 Features Low on res

 6.1. Size:704K  cn wxdh
 dh020n03p.pdf pdf_icon

DH020N03E

DH020N03P160A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 30VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 1.5mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 160AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

Другие MOSFET... DH012N03I , DH012N03P , DH012N03U , DH019N04F , DH019N04I , DH020N03 , DH020N03B , DH020N03D , 2N7002 , B25N10 , B2N65 , B4N60 , B4N65 , B4N80 , B50N06 , B5N50 , B5N65 .

History: WMM015N08HGS | APT5024SVR | SVD540DTR | HY4008A | SL18N50F | ME7114S | STS65R580SS2TR

 

 
Back to Top

 


 
.