B2N65 Todos los transistores

 

B2N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: B2N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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B2N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1148K  cn wxdh
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B2N65

B2N652A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the self-alignedVDSS = 650Vplanar technology which reduce the conduction loss, improve switchingI = 2ADperformance and enhance the avalanche energy. Which accords with theRoHS standard.RDS(on)TYP)=4.6 Fast switching ESD improved capability

 0.1. Size:1308K  cn vbsemi
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B2N65

VBZMB2N65www.VBsemi.comN-Channel (D-S) Power MOSFET650V FEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 650AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.7RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 11RuggednessQgs (nC) 2.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 5

Otros transistores... DH012N03U , DH019N04F , DH019N04I , DH020N03 , DH020N03B , DH020N03D , DH020N03E , B25N10 , AO3407 , B4N60 , B4N65 , B4N80 , B50N06 , B5N50 , B5N65 , B630 , B640 .

History: NTD12N10-1G | IRF7343 | PSMN6R3-120PS

 

 
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