B2N65 Todos los transistores

 

B2N65 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: B2N65

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.5 Ohm

Encapsulados: TO251

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B2N65 datasheet

 ..1. Size:1148K  cn wxdh
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B2N65

B2N65 2A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the self-aligned V DSS = 650V planar technology which reduce the conduction loss, improve switching I = 2A D performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. R DS(on) TYP) =4.6 Fast switching ESD improved capability

 0.1. Size:1308K  cn vbsemi
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B2N65

VBZMB2N65 www.VBsemi.com N-Channel (D-S) Power MOSFET 650V FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 650 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.7 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 11 Ruggedness Qgs (nC) 2.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Qgd (nC) 5

Otros transistores... DH012N03U , DH019N04F , DH019N04I , DH020N03 , DH020N03B , DH020N03D , DH020N03E , B25N10 , AO4407A , B4N60 , B4N65 , B4N80 , B50N06 , B5N50 , B5N65 , B630 , B640 .

 

 

 

 

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