B2N65 - описание и поиск аналогов

 

B2N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: B2N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для B2N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

B2N65 даташит

 ..1. Size:1148K  cn wxdh
 b2n65.pdf pdf_icon

B2N65

B2N65 2A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the self-aligned V DSS = 650V planar technology which reduce the conduction loss, improve switching I = 2A D performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. R DS(on) TYP) =4.6 Fast switching ESD improved capability

 0.1. Size:1308K  cn vbsemi
 vbzmb2n65.pdf pdf_icon

B2N65

VBZMB2N65 www.VBsemi.com N-Channel (D-S) Power MOSFET 650V FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 650 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.7 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 11 Ruggedness Qgs (nC) 2.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Qgd (nC) 5

Другие MOSFET... DH012N03U , DH019N04F , DH019N04I , DH020N03 , DH020N03B , DH020N03D , DH020N03E , B25N10 , AO4407A , B4N60 , B4N65 , B4N80 , B50N06 , B5N50 , B5N65 , B630 , B640 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.