Справочник MOSFET. B2N65

 

B2N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: B2N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для B2N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

B2N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1148K  cn wxdh
 b2n65.pdf pdf_icon

B2N65

B2N652A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the self-alignedVDSS = 650Vplanar technology which reduce the conduction loss, improve switchingI = 2ADperformance and enhance the avalanche energy. Which accords with theRoHS standard.RDS(on)TYP)=4.6 Fast switching ESD improved capability

 0.1. Size:1308K  cn vbsemi
 vbzmb2n65.pdf pdf_icon

B2N65

VBZMB2N65www.VBsemi.comN-Channel (D-S) Power MOSFET650V FEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 650AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.7RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 11RuggednessQgs (nC) 2.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 5

Другие MOSFET... DH012N03U , DH019N04F , DH019N04I , DH020N03 , DH020N03B , DH020N03D , DH020N03E , B25N10 , AO3407 , B4N60 , B4N65 , B4N80 , B50N06 , B5N50 , B5N65 , B630 , B640 .

History: TK7A60W5 | UPA2560T1H | IRF5805 | R6511KNJ | MMBFJ212 | SVF10N65T | SFB120N80A

 

 
Back to Top

 


 
.