DATD063N06N Todos los transistores

 

DATD063N06N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DATD063N06N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 263 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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DATD063N06N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:859K  cn wxdh
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DATD063N06N

DATD063N06N80A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 5.7mDS(on) (TYP)Gstandard.1I =80 AD3 S2 Features AEC-Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 17

Otros transistores... B50N06 , B5N50 , B5N65 , B630 , B640 , B740 , B7N70 , B80N06 , 50N06 , DATP057N06N , DH009N02 , DH009N02B , DH009N02D , DH009N02E , DH009N02F , DH009N02I , DH009N02P .

History: RDN100N20 | IPD80R2K7C3A | KF13N60N | WML10N70C4 | HSCB1216 | SPC7N65G

 

 
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