DATD063N06N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DATD063N06N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 263 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm
Encapsulados: TO252
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DATD063N06N datasheet
datd063n06n.pdf
DATD063N06N 80A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 60V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 5.7m DS(on) (TYP) G standard. 1 I =80 A D 3 S 2 Features AEC-Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 17
Otros transistores... B50N06 , B5N50 , B5N65 , B630 , B640 , B740 , B7N70 , B80N06 , 50N06 , DATP057N06N , DH009N02 , DH009N02B , DH009N02D , DH009N02E , DH009N02F , DH009N02I , DH009N02P .
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