DATD063N06N - описание и поиск аналогов

 

DATD063N06N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DATD063N06N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 263 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для DATD063N06N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DATD063N06N даташит

 ..1. Size:859K  cn wxdh
 datd063n06n.pdf pdf_icon

DATD063N06N

DATD063N06N 80A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 60V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 5.7m DS(on) (TYP) G standard. 1 I =80 A D 3 S 2 Features AEC-Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 17

Другие MOSFET... B50N06 , B5N50 , B5N65 , B630 , B640 , B740 , B7N70 , B80N06 , 50N06 , DATP057N06N , DH009N02 , DH009N02B , DH009N02D , DH009N02E , DH009N02F , DH009N02I , DH009N02P .

History: AOCA35212E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.