Справочник MOSFET. DATD063N06N

 

DATD063N06N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DATD063N06N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 263 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DATD063N06N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DATD063N06N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:859K  cn wxdh
 datd063n06n.pdf pdf_icon

DATD063N06N

DATD063N06N80A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 5.7mDS(on) (TYP)Gstandard.1I =80 AD3 S2 Features AEC-Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 17

Другие MOSFET... B50N06 , B5N50 , B5N65 , B630 , B640 , B740 , B7N70 , B80N06 , 50N06 , DATP057N06N , DH009N02 , DH009N02B , DH009N02D , DH009N02E , DH009N02F , DH009N02I , DH009N02P .

History: P4004ED | LNND04R120

 

 
Back to Top

 


 
.