DH009N02B Todos los transistores

 

DH009N02B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH009N02B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 310 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 123 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1386 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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DH009N02B Datasheet (PDF)

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DH009N02B

DH009N02/DH009N02F/DH009N02IDH009N02E/DH009N02B/DH009N02D310A 20V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 20VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 1.35mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 310AD2 Features Low on res

 6.1. Size:778K  cn wxdh
 dh009n02p.pdf pdf_icon

DH009N02B

DH009N02P220A 20V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThe N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 20VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 1mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 220AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching L

Otros transistores... B630 , B640 , B740 , B7N70 , B80N06 , DATD063N06N , DATP057N06N , DH009N02 , IRFP460 , DH009N02D , DH009N02E , DH009N02F , DH009N02I , DH009N02P , DH012N03 , DH012N03B , D12N06 .

History: UPA2709AGR | IRF6720S2 | KHB7D0N65P1 | SW4N65D | BFD88 | 2SK2377 | RJK0304DPC

 

 
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