DH009N02B - аналоги и даташиты транзистора

 

DH009N02B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DH009N02B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 310 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 123 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1386 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для DH009N02B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH009N02B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1219K  cn wxdh
 dh009n02 dh009n02f dh009n02i dh009n02e dh009n02b dh009n02d.pdf pdf_icon

DH009N02B

DH009N02/DH009N02F/DH009N02IDH009N02E/DH009N02B/DH009N02D310A 20V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 20VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 1.35mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 310AD2 Features Low on res

 6.1. Size:778K  cn wxdh
 dh009n02p.pdf pdf_icon

DH009N02B

DH009N02P220A 20V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThe N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 20VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 1mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 220AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching L

Другие MOSFET... B630 , B640 , B740 , B7N70 , B80N06 , DATD063N06N , DATP057N06N , DH009N02 , IRFP460 , DH009N02D , DH009N02E , DH009N02F , DH009N02I , DH009N02P , DH012N03 , DH012N03B , D12N06 .

History: SML100C6 | P1350ETF | MC08N005S | UPA1952 | GSM8988W | RFP15P05

 

 
Back to Top

 


 
.