DCC030M120G2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DCC030M120G2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 334 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 22 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 113 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: TO247

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DCC030M120G2 datasheet

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DCC030M120G2

DCC030M120G2 68A 1200V N-channel SiC Power MOSFET 1 Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications where high efficiency and high reliability are required. 2 Features Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements Increased Power Density Increased System Switching Frequency 3 Applic

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