Справочник MOSFET. DCC030M120G2

 

DCC030M120G2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DCC030M120G2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 334 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 113 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для DCC030M120G2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DCC030M120G2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2705K  cn wxdh
 dcc030m120g2.pdf pdf_icon

DCC030M120G2

DCC030M120G2 68A 1200V N-channel SiC Power MOSFET 1 Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications where high efficiency and high reliability are required. 2 Features Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements Increased Power Density Increased System Switching Frequency 3 Applic

Другие MOSFET... 2N3369 , 2N3370 , DH020N03F , DH020N03I , DH020N03P , DCC016M120G2 , DCC016M120G3 , DCC020M65G2 , IRLZ44N , DCC040M65G2 , DCC060M65G2 , DCC075M120G2C , DCC080M120A , DCC160M120G1 , DCCF016M120G2 , DCCF016M120G3 , DCCF020M65G2 .

History: 2SK2182 | AP4800AGM | DHB8290 | LND150N3 | HGB017N10S | STP11NM50N

 

 
Back to Top

 


 
.