DCC030M120G2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DCC030M120G2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 334 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 113 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для DCC030M120G2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DCC030M120G2 даташит

 ..1. Size:2705K  cn wxdh
 dcc030m120g2.pdf pdf_icon

DCC030M120G2

DCC030M120G2 68A 1200V N-channel SiC Power MOSFET 1 Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications where high efficiency and high reliability are required. 2 Features Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements Increased Power Density Increased System Switching Frequency 3 Applic

Другие IGBT... 2N3369, 2N3370, DH020N03F, DH020N03I, DH020N03P, DCC016M120G2, DCC016M120G3, DCC020M65G2, AON6380, DCC040M65G2, DCC060M65G2, DCC075M120G2C, DCC080M120A, DCC160M120G1, DCCF016M120G2, DCCF016M120G3, DCCF020M65G2