DCC075M120G2C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DCC075M120G2C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 41 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 typ Ohm

Encapsulados: TO247

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DCC075M120G2C datasheet

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DCC075M120G2C

DCC075M120G2C 40A 1200V N-channel SiC Power MOSFET 1 Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications where high efficiency and high reliability are required. 2 Features Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements Increased Power Density Increased System Switching Frequency 3 Appli

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