DCC075M120G2C - аналоги и даташиты транзистора

 

DCC075M120G2C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DCC075M120G2C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для DCC075M120G2C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DCC075M120G2C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:719K  cn wxdh
 dcc075m120g2c.pdf pdf_icon

DCC075M120G2C

DCC075M120G2C 40A 1200V N-channel SiC Power MOSFET 1 Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications where high efficiency and high reliability are required. 2 Features Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements Increased Power Density Increased System Switching Frequency 3 Appli

Другие MOSFET... DH020N03I , DH020N03P , DCC016M120G2 , DCC016M120G3 , DCC020M65G2 , DCC030M120G2 , DCC040M65G2 , DCC060M65G2 , NCEP15T14 , DCC080M120A , DCC160M120G1 , DCCF016M120G2 , DCCF016M120G3 , DCCF020M65G2 , DH100P40D , DH100P40E , DH100P40F .

 

 
Back to Top

 


 
.