DCC080M120A Todos los transistores

 

DCC080M120A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DCC080M120A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.098 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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DCC080M120A Datasheet (PDF)

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 dcc080m120a dccf080m120a2.pdf pdf_icon

DCC080M120A

DCC080M120A/ DCCF080M120A2 36A 1200V N-channel SIC Power MOSFET 1 Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications where high efficiency and high reliability are required. 2 Features Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements Increased Power Density Increased System Switching Freque

Otros transistores... DH020N03P , DCC016M120G2 , DCC016M120G3 , DCC020M65G2 , DCC030M120G2 , DCC040M65G2 , DCC060M65G2 , DCC075M120G2C , AON7506 , DCC160M120G1 , DCCF016M120G2 , DCCF016M120G3 , DCCF020M65G2 , DH100P40D , DH100P40E , DH100P40F , DH100P40I .

History: DCC020M65G2 | IPF135N03LG | IRF2805SPBF | IRFRC20PBF | IPD038N06N3G | 1N65G-AA3-R | 2N3459

 

 
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