DCC080M120A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DCC080M120A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для DCC080M120A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DCC080M120A даташит

 ..1. Size:849K  cn wxdh
 dcc080m120a dccf080m120a2.pdf pdf_icon

DCC080M120A

DCC080M120A/ DCCF080M120A2 36A 1200V N-channel SIC Power MOSFET 1 Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications where high efficiency and high reliability are required. 2 Features Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements Increased Power Density Increased System Switching Freque

Другие IGBT... DH020N03P, DCC016M120G2, DCC016M120G3, DCC020M65G2, DCC030M120G2, DCC040M65G2, DCC060M65G2, DCC075M120G2C, AON7506, DCC160M120G1, DCCF016M120G2, DCCF016M120G3, DCCF020M65G2, DH100P40D, DH100P40E, DH100P40F, DH100P40I