Справочник MOSFET. DCC080M120A

 

DCC080M120A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DCC080M120A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для DCC080M120A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DCC080M120A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:849K  cn wxdh
 dcc080m120a dccf080m120a2.pdf pdf_icon

DCC080M120A

DCC080M120A/ DCCF080M120A2 36A 1200V N-channel SIC Power MOSFET 1 Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications where high efficiency and high reliability are required. 2 Features Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements Increased Power Density Increased System Switching Freque

Другие MOSFET... DH020N03P , DCC016M120G2 , DCC016M120G3 , DCC020M65G2 , DCC030M120G2 , DCC040M65G2 , DCC060M65G2 , DCC075M120G2C , IRFP250 , DCC160M120G1 , DCCF016M120G2 , DCCF016M120G3 , DCCF020M65G2 , DH100P40D , DH100P40E , DH100P40F , DH100P40I .

 

 
Back to Top

 


 
.