DH105N07P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH105N07P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 70 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 174 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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DH105N07P datasheet

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DH105N07P

DH105N07P 56A 70V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 70V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 10m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 56A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

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DH105N07P

DH105N07/DH105N07F/DH105N07I/ DH105N07E/DH105N07B/DH105N07D 60A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 68V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 10.5m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 60A D 2 Features Low on resi

Otros transistores... DH100P70F, DH100P70I, DH105N07, DH105N07B, DH105N07D, DH105N07E, DH105N07F, DH105N07I, STF13NM60N, DH4N150B, DH4N150F, DH500P06R, DH50N06FZC, DH50N15, DH60N06, DH8004, DH8004B