DH105N07P - описание и поиск аналогов

 

Аналоги DH105N07P. Основные параметры


   Наименование производителя: DH105N07P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 174 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для DH105N07P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH105N07P даташит

 ..1. Size:737K  cn wxdh
 dh105n07p.pdf pdf_icon

DH105N07P

DH105N07P 56A 70V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 70V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 10m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 56A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

 6.1. Size:1152K  cn wxdh
 dh105n07 dh105n07f dh105n07i dh105n07e dh105n07b dh105n07d.pdf pdf_icon

DH105N07P

DH105N07/DH105N07F/DH105N07I/ DH105N07E/DH105N07B/DH105N07D 60A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 68V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 10.5m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 60A D 2 Features Low on resi

Другие MOSFET... DH100P70F , DH100P70I , DH105N07 , DH105N07B , DH105N07D , DH105N07E , DH105N07F , DH105N07I , STF13NM60N , DH4N150B , DH4N150F , DH500P06R , DH50N06FZC , DH50N15 , DH60N06 , DH8004 , DH8004B .

History: JMTG075C03D | HMS80N10 | JMSL1008PGQ | JMTG050P03A | JMTG100N04A | JMTG28DN10D | JMTG062N04D

 

 
Back to Top

 


 
.