DH4N150B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH4N150B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm

Encapsulados: TO247

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DH4N150B datasheet

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DH4N150B

DH4N150B 4A 1500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description DH4N150 , the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by V DSS = 1500V the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, I = 4.0A D improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system R DS(on) TYP)

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DH4N150B

DH4N150F 4A 1500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description DH4N150 , the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by V DSS = 1500V the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, I = 4.0A D improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system R DS(on) TYP)

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