Справочник MOSFET. DH4N150B

 

DH4N150B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH4N150B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для DH4N150B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH4N150B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:782K  cn wxdh
 dh4n150b.pdf pdf_icon

DH4N150B

DH4N150B4A 1500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionDH4N150 , the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained byVDSS = 1500Vthe self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss,I = 4.0ADimprove switching performance and enhance the avalanche energy. Thetransistor can be used in various power switching circuit for systemRDS(on)TYP)

 7.1. Size:734K  cn wxdh
 dh4n150f.pdf pdf_icon

DH4N150B

DH4N150F4A 1500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionDH4N150 , the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained byVDSS = 1500Vthe self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss,I = 4.0ADimprove switching performance and enhance the avalanche energy. Thetransistor can be used in various power switching circuit for systemRDS(on)TYP)

Другие MOSFET... DH100P70I , DH105N07 , DH105N07B , DH105N07D , DH105N07E , DH105N07F , DH105N07I , DH105N07P , AON6380 , DH4N150F , DH500P06R , DH50N06FZC , DH50N15 , DH60N06 , DH8004 , DH8004B , DH8004D .

History: 2SK1158 | CSD25402Q3A | AM2328NE | 2SJ416 | SLP80R850SJ | 12N65KG-TQ2-T

 

 
Back to Top

 


 
.