Справочник MOSFET. DH4N150B

 

DH4N150B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH4N150B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DH4N150B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:782K  cn wxdh
 dh4n150b.pdf pdf_icon

DH4N150B

DH4N150B4A 1500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionDH4N150 , the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained byVDSS = 1500Vthe self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss,I = 4.0ADimprove switching performance and enhance the avalanche energy. Thetransistor can be used in various power switching circuit for systemRDS(on)TYP)

 7.1. Size:734K  cn wxdh
 dh4n150f.pdf pdf_icon

DH4N150B

DH4N150F4A 1500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionDH4N150 , the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained byVDSS = 1500Vthe self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss,I = 4.0ADimprove switching performance and enhance the avalanche energy. Thetransistor can be used in various power switching circuit for systemRDS(on)TYP)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.