DH500P06R Todos los transistores

 

DH500P06R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH500P06R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

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DH500P06R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:584K  cn wxdh
 dh500p06r.pdf pdf_icon

DH500P06R

DH500P06R12A 60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese P-channel enhanced vdmosfets, used advancedV = -60VDSStrench technology and design, provide to excellentRdson with low gate charge. Which accords with theR =52mDS(on) (TYP)RoHS standard.I = -12AD2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge Low reverse transfe

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History: HM3710 | ELM13401CA | FL6L52010L | MMFT65R195PTH | UT3401ZL-AE3-R | FQU7P20TU | SSM3K16FU

 

 
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