DH500P06R Todos los transistores

 

DH500P06R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH500P06R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

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DH500P06R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:584K  cn wxdh
 dh500p06r.pdf pdf_icon

DH500P06R

DH500P06R12A 60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese P-channel enhanced vdmosfets, used advancedV = -60VDSStrench technology and design, provide to excellentRdson with low gate charge. Which accords with theR =52mDS(on) (TYP)RoHS standard.I = -12AD2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge Low reverse transfe

Otros transistores... DH105N07B , DH105N07D , DH105N07E , DH105N07F , DH105N07I , DH105N07P , DH4N150B , DH4N150F , 8N60 , DH50N06FZC , DH50N15 , DH60N06 , DH8004 , DH8004B , DH8004D , DH80N08B22 , DH8290 .

History: IRFPG30PBF | ZVN2106ASTOB | NCE6003Y | DH105N07I | UTT30N08 | DH8004 | DH8004B

 

 
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