Справочник MOSFET. DH500P06R

 

DH500P06R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH500P06R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DH500P06R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:584K  cn wxdh
 dh500p06r.pdf pdf_icon

DH500P06R

DH500P06R12A 60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese P-channel enhanced vdmosfets, used advancedV = -60VDSStrench technology and design, provide to excellentRdson with low gate charge. Which accords with theR =52mDS(on) (TYP)RoHS standard.I = -12AD2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge Low reverse transfe

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SE85130GA | IPP50R380CE | SSW65R043SFD2 | FDB9406L-F085 | AP9561GM | SDF07N50T | IPD30N06S4L-23

 

 
Back to Top

 


 
.