Справочник MOSFET. DH500P06R

 

DH500P06R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH500P06R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для DH500P06R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH500P06R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:584K  cn wxdh
 dh500p06r.pdf pdf_icon

DH500P06R

DH500P06R12A 60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese P-channel enhanced vdmosfets, used advancedV = -60VDSStrench technology and design, provide to excellentRdson with low gate charge. Which accords with theR =52mDS(on) (TYP)RoHS standard.I = -12AD2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge Low reverse transfe

Другие MOSFET... DH105N07B , DH105N07D , DH105N07E , DH105N07F , DH105N07I , DH105N07P , DH4N150B , DH4N150F , K2611 , DH50N06FZC , DH50N15 , DH60N06 , DH8004 , DH8004B , DH8004D , DH80N08B22 , DH8290 .

History: 12N70KG-TF1-T | NTD5806NT4G | DMT7N65

 

 
Back to Top

 


 
.