DH500P06R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DH500P06R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

Аналог (замена) для DH500P06R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH500P06R даташит

 ..1. Size:584K  cn wxdh
 dh500p06r.pdf pdf_icon

DH500P06R

DH500P06R 12A 60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These P-channel enhanced vdmosfets, used advanced V = -60V DSS trench technology and design, provide to excellent Rdson with low gate charge. Which accords with the R =52m DS(on) (TYP) RoHS standard. I = -12A D 2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge Low reverse transfe

Другие IGBT... DH105N07B, DH105N07D, DH105N07E, DH105N07F, DH105N07I, DH105N07P, DH4N150B, DH4N150F, 8N60, DH50N06FZC, DH50N15, DH60N06, DH8004, DH8004B, DH8004D, DH80N08B22, DH8290