DH60N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH60N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 149 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO220

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DH60N06 datasheet

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DH60N06

DH60N06 60A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 60V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 10.3m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 60A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

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