DH60N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DH60N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 149 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для DH60N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH60N06 даташит

 ..1. Size:937K  cn wxdh
 dh60n06.pdf pdf_icon

DH60N06

DH60N06 60A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 60V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 10.3m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 60A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

Другие IGBT... DH105N07F, DH105N07I, DH105N07P, DH4N150B, DH4N150F, DH500P06R, DH50N06FZC, DH50N15, AO3400A, DH8004, DH8004B, DH8004D, DH80N08B22, DH8290, DH850N10, DH850N10B, DH850N10D