Справочник MOSFET. DH60N06

 

DH60N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH60N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 149 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для DH60N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH60N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:937K  cn wxdh
 dh60n06.pdf pdf_icon

DH60N06

DH60N0660A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 10.3mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 60AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

Другие MOSFET... DH105N07F , DH105N07I , DH105N07P , DH4N150B , DH4N150F , DH500P06R , DH50N06FZC , DH50N15 , RU6888R , DH8004 , DH8004B , DH8004D , DH80N08B22 , DH8290 , DH850N10 , DH850N10B , DH850N10D .

History: HGN029NE4SL | IPB093N04LG | 2SK1158 | DMN4800LSSQ

 

 
Back to Top

 


 
.