DH150N12E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DH150N12E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
- Selección de transistores por parámetros
DH150N12E Datasheet (PDF)
dh150n12 dh150n12f dh150n12i dh150n12e dh150n12b dh150n12d.pdf

DH150N12/DH150N12F/DH150N12IDH150N12E/DH150N12B/DH150N12D50A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 120VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 15.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 50AD2 Features Low on res
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SJMN60R15F | WML28N60C4 | STP11NB40 | STP9NK50ZFP | SSF20N50UH | AP4511GM | FQI6N15TU
History: SJMN60R15F | WML28N60C4 | STP11NB40 | STP9NK50ZFP | SSF20N50UH | AP4511GM | FQI6N15TU



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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