Справочник MOSFET. DH150N12E

 

DH150N12E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH150N12E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DH150N12E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH150N12E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1329K  cn wxdh
 dh150n12 dh150n12f dh150n12i dh150n12e dh150n12b dh150n12d.pdf pdf_icon

DH150N12E

DH150N12/DH150N12F/DH150N12IDH150N12E/DH150N12B/DH150N12D50A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 120VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 15.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 50AD2 Features Low on res

Другие MOSFET... DH850N10 , DH850N10B , DH850N10D , DH850N10E , DH850N10F , DH150N12 , DH150N12B , DH150N12D , MMD60R360PRH , DH150N12F , DH150N12I , DH160P03V , DH160P04D , DH16N06 , DH170P04V , DH1K1N10 , DH1K1N10B .

History: SIHF9Z24S | IRFI840GLCPBF | OSG60R022HT3ZF | CJAC10TH10 | 2SK2793 | TPM8205ATS6 | BF1208D

 

 
Back to Top

 


 
.