DH160P03V MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

DH160P03V MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH160P03V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 308 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SOP8

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DH160P03V datasheet

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dh160p03v.pdf pdf_icon

DH160P03V 10A 30V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This P-channel enhanced vdmosfets, used advanced V = -30V DSS trench technology and design, provide to excellent Rdson with low gate charge. Which accords with the RoHS R =14m DS(on) (TYP) standard. I = -10A D 2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge Low reverse transfer

7.1. Size:764K cn wxdh
dh160p04d.pdf pdf_icon

DH160P04D -50A -40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description The P-channel enhancement mode power mosfets used V = -40V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 13m DS(on) (TYP) standard. I = -50A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching Low reverse tr

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