DH160P03V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DH160P03V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 308 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для DH160P03V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH160P03V даташит

 ..1. Size:1095K  cn wxdh
 dh160p03v.pdf pdf_icon

DH160P03V

DH160P03V 10A 30V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This P-channel enhanced vdmosfets, used advanced V = -30V DSS trench technology and design, provide to excellent Rdson with low gate charge. Which accords with the RoHS R =14m DS(on) (TYP) standard. I = -10A D 2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge Low reverse transfer

 7.1. Size:764K  cn wxdh
 dh160p04d.pdf pdf_icon

DH160P03V

DH160P04D -50A -40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description The P-channel enhancement mode power mosfets used V = -40V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 13m DS(on) (TYP) standard. I = -50A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching Low reverse tr

Другие IGBT... DH850N10E, DH850N10F, DH150N12, DH150N12B, DH150N12D, DH150N12E, DH150N12F, DH150N12I, AO4407A, DH160P04D, DH16N06, DH170P04V, DH1K1N10, DH1K1N10B, DH1K1N10D, DH1K1N10E, DH1K1N10F