DH160P04D Todos los transistores

 

DH160P04D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH160P04D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 82 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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DH160P04D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:764K  cn wxdh
 dh160p04d.pdf pdf_icon

DH160P04D

DH160P04D-50A -40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThe P-channel enhancement mode power mosfets usedV = -40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 13mDS(on) (TYP)standard.I = -50AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching Low reverse tr

 7.1. Size:1095K  cn wxdh
 dh160p03v.pdf pdf_icon

DH160P04D

DH160P03V10A 30V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis P-channel enhanced vdmosfets, used advancedV = -30VDSStrench technology and design, provide to excellent Rdsonwith low gate charge. Which accords with the RoHSR =14mDS(on) (TYP)standard.I = -10AD2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge Low reverse transfer

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