DH160P04D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH160P04D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 82 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de DH160P04D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DH160P04D datasheet

 ..1. Size:764K  cn wxdh
 dh160p04d.pdf pdf_icon

DH160P04D

DH160P04D -50A -40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description The P-channel enhancement mode power mosfets used V = -40V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 13m DS(on) (TYP) standard. I = -50A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching Low reverse tr

 7.1. Size:1095K  cn wxdh
 dh160p03v.pdf pdf_icon

DH160P04D

DH160P03V 10A 30V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This P-channel enhanced vdmosfets, used advanced V = -30V DSS trench technology and design, provide to excellent Rdson with low gate charge. Which accords with the RoHS R =14m DS(on) (TYP) standard. I = -10A D 2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge Low reverse transfer

Otros transistores... DH850N10F, DH150N12, DH150N12B, DH150N12D, DH150N12E, DH150N12F, DH150N12I, DH160P03V, 60N06, DH16N06, DH170P04V, DH1K1N10, DH1K1N10B, DH1K1N10D, DH1K1N10E, DH1K1N10F, DH1K1N10I