DH160P04D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DH160P04D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 82 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для DH160P04D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH160P04D даташит

 ..1. Size:764K  cn wxdh
 dh160p04d.pdf pdf_icon

DH160P04D

DH160P04D -50A -40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description The P-channel enhancement mode power mosfets used V = -40V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 13m DS(on) (TYP) standard. I = -50A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching Low reverse tr

 7.1. Size:1095K  cn wxdh
 dh160p03v.pdf pdf_icon

DH160P04D

DH160P03V 10A 30V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This P-channel enhanced vdmosfets, used advanced V = -30V DSS trench technology and design, provide to excellent Rdson with low gate charge. Which accords with the RoHS R =14m DS(on) (TYP) standard. I = -10A D 2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge Low reverse transfer

Другие IGBT... DH850N10F, DH150N12, DH150N12B, DH150N12D, DH150N12E, DH150N12F, DH150N12I, DH160P03V, 60N06, DH16N06, DH170P04V, DH1K1N10, DH1K1N10B, DH1K1N10D, DH1K1N10E, DH1K1N10F, DH1K1N10I