Справочник MOSFET. DH160P04D

 

DH160P04D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH160P04D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 82 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 46 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DH160P04D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH160P04D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:764K  cn wxdh
 dh160p04d.pdf pdf_icon

DH160P04D

DH160P04D-50A -40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThe P-channel enhancement mode power mosfets usedV = -40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 13mDS(on) (TYP)standard.I = -50AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching Low reverse tr

 7.1. Size:1095K  cn wxdh
 dh160p03v.pdf pdf_icon

DH160P04D

DH160P03V10A 30V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis P-channel enhanced vdmosfets, used advancedV = -30VDSStrench technology and design, provide to excellent Rdsonwith low gate charge. Which accords with the RoHSR =14mDS(on) (TYP)standard.I = -10AD2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge Low reverse transfer

Другие MOSFET... DH850N10F , DH150N12 , DH150N12B , DH150N12D , DH150N12E , DH150N12F , DH150N12I , DH160P03V , AO4468 , DH16N06 , DH170P04V , DH1K1N10 , DH1K1N10B , DH1K1N10D , DH1K1N10E , DH1K1N10F , DH1K1N10I .

History: PNM523T703E0-2 | CHM4282JGP | HUFA76619D3 | 2SK4067I

 

 
Back to Top

 


 
.