Справочник MOSFET. DH160P04D

 

DH160P04D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH160P04D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 82 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DH160P04D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:764K  cn wxdh
 dh160p04d.pdf pdf_icon

DH160P04D

DH160P04D-50A -40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThe P-channel enhancement mode power mosfets usedV = -40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 13mDS(on) (TYP)standard.I = -50AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching Low reverse tr

 7.1. Size:1095K  cn wxdh
 dh160p03v.pdf pdf_icon

DH160P04D

DH160P03V10A 30V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis P-channel enhanced vdmosfets, used advancedV = -30VDSStrench technology and design, provide to excellent Rdsonwith low gate charge. Which accords with the RoHSR =14mDS(on) (TYP)standard.I = -10AD2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge Low reverse transfer

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HUFA76619D3 | HAT2202C | IRF636A | 2SK2957 | 75N75G-TA3-T | CHM4282JGP | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.