DH170P04V Todos los transistores

 

DH170P04V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH170P04V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 46 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DH170P04V Datasheet (PDF)

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DH170P04V

DH170P04V-10A -40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThe P-channel enhancement mode power mosfets usedV = -40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 16mDS(on) (TYP)standard.I = -10AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching Low reverse tr

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