DH170P04V Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH170P04V  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOP8

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de DH170P04V MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DH170P04V datasheet

 ..1. Size:714K  cn wxdh
 dh170p04v.pdf pdf_icon

DH170P04V

DH170P04V -10A -40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description The P-channel enhancement mode power mosfets used V = -40V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 16m DS(on) (TYP) standard. I = -10A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching Low reverse tr

Otros transistores... DH150N12B, DH150N12D, DH150N12E, DH150N12F, DH150N12I, DH160P03V, DH160P04D, DH16N06, 2SK2842, DH1K1N10, DH1K1N10B, DH1K1N10D, DH1K1N10E, DH1K1N10F, DH1K1N10I, DH300N08, DH300N08B