DH170P04V Todos los transistores

 

DH170P04V MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH170P04V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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DH170P04V datasheet

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DH170P04V

DH170P04V -10A -40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description The P-channel enhancement mode power mosfets used V = -40V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 16m DS(on) (TYP) standard. I = -10A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching Low reverse tr

Otros transistores... DH150N12B , DH150N12D , DH150N12E , DH150N12F , DH150N12I , DH160P03V , DH160P04D , DH16N06 , AO4468 , DH1K1N10 , DH1K1N10B , DH1K1N10D , DH1K1N10E , DH1K1N10F , DH1K1N10I , DH300N08 , DH300N08B .

History: JMTG100P03A | JMSL1009BUQ

 

 
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