DH170P04V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DH170P04V
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de DH170P04V MOSFET
DH170P04V Datasheet (PDF)
dh170p04v.pdf

DH170P04V-10A -40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThe P-channel enhancement mode power mosfets usedV = -40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 16mDS(on) (TYP)standard.I = -10AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching Low reverse tr
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History: EFC6611R | PE597BA | IRFP240R | TPA70R190C | APM4354KP | PA910BM | 6N60KL-TMS4-T
History: EFC6611R | PE597BA | IRFP240R | TPA70R190C | APM4354KP | PA910BM | 6N60KL-TMS4-T



Liste
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