Справочник MOSFET. DH170P04V

 

DH170P04V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH170P04V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для DH170P04V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH170P04V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:714K  cn wxdh
 dh170p04v.pdf pdf_icon

DH170P04V

DH170P04V-10A -40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThe P-channel enhancement mode power mosfets usedV = -40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 16mDS(on) (TYP)standard.I = -10AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching Low reverse tr

Другие MOSFET... DH150N12B , DH150N12D , DH150N12E , DH150N12F , DH150N12I , DH160P03V , DH160P04D , DH16N06 , IRFP064N , DH1K1N10 , DH1K1N10B , DH1K1N10D , DH1K1N10E , DH1K1N10F , DH1K1N10I , DH300N08 , DH300N08B .

History: AP2623GY-HF | HY3N80T | TT8K1 | AP4513GD | HSU0018A | AO8808A | YTF153

 

 
Back to Top

 


 
.