DH170P04V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DH170P04V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для DH170P04V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH170P04V даташит

 ..1. Size:714K  cn wxdh
 dh170p04v.pdf pdf_icon

DH170P04V

DH170P04V -10A -40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description The P-channel enhancement mode power mosfets used V = -40V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 16m DS(on) (TYP) standard. I = -10A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching Low reverse tr

Другие IGBT... DH150N12B, DH150N12D, DH150N12E, DH150N12F, DH150N12I, DH160P03V, DH160P04D, DH16N06, AO4468, DH1K1N10, DH1K1N10B, DH1K1N10D, DH1K1N10E, DH1K1N10F, DH1K1N10I, DH300N08, DH300N08B