DH1K1N10D Todos los transistores

 

DH1K1N10D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH1K1N10D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

DH1K1N10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1154K  cn wxdh
 dh1k1n10 dh1k1n10f dh1k1n10i dh1k1n10e dh1k1n10b dh1k1n10d.pdf pdf_icon

DH1K1N10D

DH1K1N10/DH1K1N10F/DH1K1N10IDH1K1N10E/DH1K1N10B/DH1K1N10D12A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 112mDS(on) (TYP)standard.13 SID =12A2 Features Low on resista

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: WFF5N65B | GSM2341 | RRL025P03 | BUZ308 | UF640G-AA3-R | BSS123A | LSD65R180GT

 

 
Back to Top

 


 
.