Справочник MOSFET. DH1K1N10D

 

DH1K1N10D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH1K1N10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DH1K1N10D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH1K1N10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1154K  cn wxdh
 dh1k1n10 dh1k1n10f dh1k1n10i dh1k1n10e dh1k1n10b dh1k1n10d.pdf pdf_icon

DH1K1N10D

DH1K1N10/DH1K1N10F/DH1K1N10IDH1K1N10E/DH1K1N10B/DH1K1N10D12A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 112mDS(on) (TYP)standard.13 SID =12A2 Features Low on resista

Другие MOSFET... DH150N12F , DH150N12I , DH160P03V , DH160P04D , DH16N06 , DH170P04V , DH1K1N10 , DH1K1N10B , IRF3205 , DH1K1N10E , DH1K1N10F , DH1K1N10I , DH300N08 , DH300N08B , DH300N08D , DH300N08E , DH300N08F .

History: 7N65KL-TA3-T | MDP13N50GTH | BUK9609-40B | SDF1NA60JAA

 

 
Back to Top

 


 
.