Справочник MOSFET. DH1K1N10D

 

DH1K1N10D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH1K1N10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DH1K1N10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1154K  cn wxdh
 dh1k1n10 dh1k1n10f dh1k1n10i dh1k1n10e dh1k1n10b dh1k1n10d.pdf pdf_icon

DH1K1N10D

DH1K1N10/DH1K1N10F/DH1K1N10IDH1K1N10E/DH1K1N10B/DH1K1N10D12A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 112mDS(on) (TYP)standard.13 SID =12A2 Features Low on resista

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: MCH6436 | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV | IRLML9301TRPBF | ELM34407AA | RU7550S | AUIRFZ34N

 

 
Back to Top

 


 
.