DCCF160M120G1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DCCF160M120G1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.196 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247-4
Búsqueda de reemplazo de DCCF160M120G1 MOSFET
DCCF160M120G1 Datasheet (PDF)
dcc160m120g1 dccf160m120g1.pdf

DCC160M120G1DCCF160M120G1 18A 1200V N-channel SIC Power MOSFET 1 Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications where high efficiency and high reliability are required. 2 Features Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements Increased Power Density Increased System Switching Freq
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