DCCF160M120G1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DCCF160M120G1  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.196 Ohm

Тип корпуса: TO247-4

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DCCF160M120G1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DCCF160M120G1 даташит

 ..1. Size:1051K  cn wxdh
 dcc160m120g1 dccf160m120g1.pdf pdf_icon

DCCF160M120G1

DCC160M120G1 DCCF160M120G1 18A 1200V N-channel SIC Power MOSFET 1 Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications where high efficiency and high reliability are required. 2 Features Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements Increased Power Density Increased System Switching Freq

Другие IGBT... DH100P25B, DH100P25D, DH100P25E, DH100P25F, DH100P25I, DCCF040M65G2, DCCF060M65G2, DCCF080M120A2, 13N50, DH025N03, DH025N03B, DH025N03D, DH025N03E, DH025N03F, DH025N03I, DH025N04, DH025N04B