Справочник MOSFET. DCCF160M120G1

 

DCCF160M120G1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DCCF160M120G1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.196 Ohm
   Тип корпуса: TO247-4
 

 Аналог (замена) для DCCF160M120G1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DCCF160M120G1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1051K  cn wxdh
 dcc160m120g1 dccf160m120g1.pdf pdf_icon

DCCF160M120G1

DCC160M120G1DCCF160M120G1 18A 1200V N-channel SIC Power MOSFET 1 Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications where high efficiency and high reliability are required. 2 Features Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements Increased Power Density Increased System Switching Freq

Другие MOSFET... DH100P25B , DH100P25D , DH100P25E , DH100P25F , DH100P25I , DCCF040M65G2 , DCCF060M65G2 , DCCF080M120A2 , 8205A , DH025N03 , DH025N03B , DH025N03D , DH025N03E , DH025N03F , DH025N03I , DH025N04 , DH025N04B .

 

 
Back to Top

 


 
.