FCI25N60N Todos los transistores

 

FCI25N60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCI25N60N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 216 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 57 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.125 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO262, I2PAK

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FCI25N60N Datasheet (PDF)

1.1. fci25n60n f102.pdf Size:421K _fairchild_semi

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June 2010 TM SupreMOS FCI25N60N_F102 tm N-Channel MOSFET 600V, 25A, 0.125Ω Features Description • RDS(on) = 0.107Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 12.5A The SupreMOS MOSFET, Fairchild’s next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling • Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 57nC) process that differentiates it from preceding multi-epi based tech-

1.2. fci25n60n.pdf Size:598K _fairchild_semi

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November 2013 FCI25N60N N-Channel SupreMOS® MOSFET 600 V, 25 A, 125 mΩ Features Description The SupreMOS® MOSFET is Fairchild Semiconductor’s next • RDS(on) = 107 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 12.5 A generation of high voltage super-junction (SJ) technology • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 57 nC) employing a deep trench filling process that differentiates it from • Low Ef

 

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