FCI25N60N Todos los transistores

 

FCI25N60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCI25N60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 216 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 57 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262 I2PAK
 

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FCI25N60N Datasheet (PDF)

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FCI25N60N

November 2013FCI25N60NN-Channel SupreMOS MOSFET600 V, 25 A, 125 mFeatures DescriptionThe SupreMOS MOSFET is Fairchild Semiconductors next RDS(on) = 107 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 12.5 Ageneration of high voltage super-junction (SJ) technology Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 57 nC)employing a deep trench filling process that differentiates it from Low Ef

 ..2. Size:421K  fairchild semi
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FCI25N60N

June 2010 TMSupreMOSFCI25N60N_F102tmN-Channel MOSFET 600V, 25A, 0.125Features Description RDS(on) = 0.107 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 12.5A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 57nC)process that differentiates it from preceding multi-epi based tech-

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