FCI25N60N - аналоги и даташиты транзистора

 

FCI25N60N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FCI25N60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 216 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO262 I2PAK
 

 Аналог (замена) для FCI25N60N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCI25N60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:598K  fairchild semi
 fci25n60n.pdf pdf_icon

FCI25N60N

November 2013FCI25N60NN-Channel SupreMOS MOSFET600 V, 25 A, 125 mFeatures DescriptionThe SupreMOS MOSFET is Fairchild Semiconductors next RDS(on) = 107 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 12.5 Ageneration of high voltage super-junction (SJ) technology Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 57 nC)employing a deep trench filling process that differentiates it from Low Ef

 ..2. Size:421K  fairchild semi
 fci25n60n f102.pdf pdf_icon

FCI25N60N

June 2010 TMSupreMOSFCI25N60N_F102tmN-Channel MOSFET 600V, 25A, 0.125Features Description RDS(on) = 0.107 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 12.5A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 57nC)process that differentiates it from preceding multi-epi based tech-

Другие MOSFET... FQPF8N80C , FQD5N15 , FQPF8N90C , FQPF9N25C , FQPF9N50CF , FQPF9N90C , FQPF9P25 , FQS4900 , P0903BDG , FQS4901 , FCP25N60N , FQS4903 , FQT13N06 , FQT13N06L , FQT1N60C , HUF76413DKF085 , FQT1N80 .

History: FCP25N60N

 

 
Back to Top

 


 
.