FQS4901 Todos los transistores

 

FQS4901 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQS4901
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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FQS4901 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:721K  fairchild semi
 fqs4901.pdf pdf_icon

FQS4901

May 2000TMQFETQFETQFETQFET 400V DuaI N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.45A, 400V, RDS(on) = 4.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 5.8 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 5.0 pF)This advanced technology has b

 8.1. Size:1100K  fairchild semi
 fqs4900.pdf pdf_icon

FQS4901

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQS4900Dual N & P-Channel, Logic Level MOSFETGeneral Description FeaturesThese dual N and P-channel enhancement mode power N-Channel 1.3A, 60V, RDS(on) = 0.55 @ VGS = 10 Vfield effect transistors are produced using Fairchilds RDS(on) = 0.65 @ VGS = 5 Vproprietary, planar stripe, DMOS technology. P-Channel -0.3A, -300V, RDS(on) =

 8.2. Size:734K  fairchild semi
 fqs4903.pdf pdf_icon

FQS4901

May 2000TMQFETQFETQFETQFET 500V DuaI N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.37A, 500V, RDS(on) = 6.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 4.5 pF)This advanced technology has b

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