DH026N06I Todos los transistores

 

DH026N06I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH026N06I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 238 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 155 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 255 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 685 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
     - Selección de transistores por parámetros

 

DH026N06I Datasheet (PDF)

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DH026N06I

DH026N06/DH026N06F/DH026N06I/DH026N06E/DH026N06D/DH026N06B238A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 2.6mDS(on) (Type)Gstandard.1I = 238A3 S D2 Features Low on res

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History: FMK75-01F

 

 
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