DH026N06I - описание и поиск аналогов

 

Аналоги DH026N06I. Основные параметры


   Наименование производителя: DH026N06I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 238 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 255 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 685 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для DH026N06I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH026N06I даташит

 ..1. Size:1437K  cn wxdh
 dh026n06 dh026n06f dh026n06i dh026n06e dh026n06d dh026n06b.pdf pdf_icon

DH026N06I

DH026N06/DH026N06F/DH026N06I/ DH026N06E/DH026N06D/DH026N06B 238A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 60V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 2.6m DS(on) (Type) G standard. 1 I = 238A 3 S D 2 Features Low on res

Другие MOSFET... DH400P06LB , DH400P06LD , DH025N08 , DH026N06 , DH026N06B , DH026N06D , DH026N06E , DH026N06F , 75N75 , DH028N03 , DH028N03B , DH028N03D , DH028N03E , DH028N03F , DH028N03I , DH029N08 , DH029N08B .

History: BF960S | AGM065N10C

 

 
Back to Top

 


 
.