DH028N03E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH028N03E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 145 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 87 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 118 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm

Encapsulados: TO263

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DH028N03E datasheet

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 dh028n03 dh028n03f dh028n03e dh028n03i dh028n03b dh028n03d.pdf pdf_icon

DH028N03E

DH028N03/DH028N03F/DH028N03E DH028N03I/DH028N03B/DH028N03D 145A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 30V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 2.7m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 145A D 2 Features Low on resi

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