Справочник MOSFET. DH028N03E

 

DH028N03E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH028N03E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 145 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 118 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DH028N03E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH028N03E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1076K  cn wxdh
 dh028n03 dh028n03f dh028n03e dh028n03i dh028n03b dh028n03d.pdf pdf_icon

DH028N03E

DH028N03/DH028N03F/DH028N03EDH028N03I/DH028N03B/DH028N03D145A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 30VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 2.7mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 145AD2 Features Low on resi

Другие MOSFET... DH026N06B , DH026N06D , DH026N06E , DH026N06F , DH026N06I , DH028N03 , DH028N03B , DH028N03D , NCEP15T14 , DH028N03F , DH028N03I , DH029N08 , DH029N08B , DH029N08D , DH100P28 , DH100P28B , DH100P28D .

History: BUK9E04-30B | HY1803C2 | P4506BD | OSG65R070PT3F | ME4972-G | DAMH50N500H | SI7617DN

 

 
Back to Top

 


 
.