DH029N08B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH029N08B  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1030 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TO247

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de DH029N08B MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DH029N08B datasheet

 ..1. Size:1242K  cn wxdh
 dh029n08 dhi029n08 dhe029n08 dh029n08d dh029n08b.pdf pdf_icon

DH029N08B

DH029N08/DHI029N08/DHE029N08/ DH029N08D/DH029N08B 180A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent 2 D Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS V = 80V DSS standard. G R = 2.9m DS(on) (Type) 1 2 Features 3 S I = 180A D Fast switching L

Otros transistores... DH026N06I, DH028N03, DH028N03B, DH028N03D, DH028N03E, DH028N03F, DH028N03I, DH029N08, FTP08N06A, DH029N08D, DH100P28, DH100P28B, DH100P28D, DH100P28E, DH100P28F, DH100P28I, DH100P30A