Справочник MOSFET. DH029N08B

 

DH029N08B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH029N08B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1030 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для DH029N08B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH029N08B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1242K  cn wxdh
 dh029n08 dhi029n08 dhe029n08 dh029n08d dh029n08b.pdf pdf_icon

DH029N08B

DH029N08/DHI029N08/DHE029N08/DH029N08D/DH029N08B180A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent2 DRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSV = 80VDSSstandard.G R = 2.9mDS(on) (Type)12 Features3 S I = 180AD Fast switching L

Другие MOSFET... DH026N06I , DH028N03 , DH028N03B , DH028N03D , DH028N03E , DH028N03F , DH028N03I , DH029N08 , IRF1405 , DH029N08D , DH100P28 , DH100P28B , DH100P28D , DH100P28E , DH100P28F , DH100P28I , DH100P30A .

History: CSD85312Q3E | AP1R803GMT-HF | HM4886E

 

 
Back to Top

 


 
.