Справочник MOSFET. DH029N08B

 

DH029N08B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH029N08B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1030 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DH029N08B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1242K  cn wxdh
 dh029n08 dhi029n08 dhe029n08 dh029n08d dh029n08b.pdf pdf_icon

DH029N08B

DH029N08/DHI029N08/DHE029N08/DH029N08D/DH029N08B180A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent2 DRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSV = 80VDSSstandard.G R = 2.9mDS(on) (Type)12 Features3 S I = 180AD Fast switching L

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CS110N03A3 | CM20N50P | JCS2N60MB | P0908ATF | 2SK4108 | 2SK2424 | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.